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元件参数资料
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参数目录33424
> MMBTA13 TRANSISTOR DARL NPN 1.2A SOT-23
型号:
MMBTA13
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
TRANSISTOR DARL NPN 1.2A SOT-23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MMBTA13 PDF
产品变化通告
Mold Compound Change 12/Dec/2007
产品目录绘图
Transistor SOT-23-3 Package
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
1.2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
1.5V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
10000 @ 100mA,5V
功率 - 最大
350mW
频率 - 转换
125MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1600 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
MMBTA13FS
MMBTA13FS-ND
MMBTA13FSTR
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